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STD20N20中文资料

STD20N20图片

STD20N20外观图

  • 大小：405.53KB
  • 厂家：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述：N-CHANNEL 200V - 0.10 OHM - 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET
  • 典型关断延迟时间：40 ns
  • 典型接通延迟时间：15 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：28 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：940 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：6.2mm
  • 封装类型：DPAK
  • 尺寸：6.6 x 6.2 x 2.4mm
  • 引脚数目：3
  • 最低工作温度：-50 °C
  • 最大功率耗散：90000 mW
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：200 V
  • 最大漏源电阻值：0.125
  • 最大连续漏极电流：18 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：单
  • 长度：6.6mm
  • 高度：2.4mm

STD20N20供应商

更新时间:2023-01-09 20:58:03
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